آنالیز ICP-OES

آنالیز ICP-OES

آنالیز ICP-OES چیست؟

آنالیز ICP-OES طیف سنجی پلاسمای جفت شده القایی از جمله روش های طیف سنجی اتمی است که در آن اتمی شدن عناصر (Atomization) به کمک محیط گرم پلاسما صورت می پذیرد. سپس توسط یک طیف سنج انتشاری (OES) و یا یک طیف سنج جرمی (MS) قابل آشکارسازی و کمی سازی می باشد.

دستگاه آنالیز ICP-OES نور منتشر شده در طول موج های مشخصه ویژه عنصر را از یون های تهییج شده حرارتی نمونه اندازه گیری می کند. این نور منتشر شده، در طیف سنج جدا و اندازه گیری شده، که منجر به اندازه گیری شدت شده که از طریق مقایسه با کالیبراسیون استاندارد قابل تبدیل به غلظت عنصری خواهد بود.

در شکل زیر عناصر قابل اندازه گیری توسط روش ICP-OES  که با رنگ آبی مشخص شده اند، را مشاهده نمایید:

 

 

 

مشخصات دستگاه  آنالیز ICP-OES

مشخصات دستگاه
  • نام کامل دستگاه به فارسی : پلاسمای جفت شده القایی- اسپکترومتری نوری
  • نام دستگاه به لاتین : Inductivity Coupled Plasma- Optical Emission Spectrometry
  • شرکت سازنده :  Perkin-Elmer
  • مدل دستگاه : 5300 DV

کاربردهای آنالیز ICP-OES

  • تعیین درصد و نوع عناصر موجود در ساختار
  • آنالیز کمی عناصر از غلظت ­های بسیار پایین در حدود 0.1 ppm تا چند درصد به طور هم زمان
  • حد تشخیص حدود ده برابر بهتر از پلاسمای radial
  • دارای سیستم Auto MAX (تغییر اتوماتیک پارامترها برای حصول بهترین نتیجه)
  • دارای پلاسمای Axial که منجر به افزایش حساسیت دستگاه برای مقادیر Trace و انعطاف پذیری آن برای اندازه گیری مقادیر بزرگتر.

توانایی ها و محدودیت های  آنالیز ICP-OES

توانایی های آنالیز عبارتند از:

  •  آنالیز هم زمان ۶۷ عنصر در زمان بسیار کوتاه
  • سرعت بالا و هزینه ی کمتر در قیاس با آنالیز ICP-MS

محدودیت:

  • حل کردن نمونه های جامد و رقیق سازی بیشتر نمونه ها نسبت به تکنیک های دیگر
  • خطا در اندازه گیری عناصری با غلظت بالا
0 پاسخ

پاسخ دهید

میخواهید به بحث بپیوندید؟
مشارکت رایگان.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *